SIRA90DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
قسمت # NOVA:
312-2302377-SIRA90DP-T1-GE3
سازنده:
شماره قطعه سازنده:
SIRA90DP-T1-GE3
بسته استاندارد:
3,000
برگه اطلاعات فنی:

N-Channel 30 V 100A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

More Information
دسته بندیترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازندهVishay Siliconix
RoHS 1
بسته بندیTape & Reel (TR)
دمای عملیاتی -55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصبSurface Mount
بسته دستگاه تامین کننده PowerPAK® SO-8
شماره محصول پایه SIRA90
فن آوریMOSFET (Metal Oxide)
سلسله-
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C 100A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)4.5V, 10V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs 0.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID 2V @ 250µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs 153 nC @ 10 V
ویژگی FET-
بسته / موردPowerPAK® SO-8
Vgs (حداکثر)+20V, -16V
نوع FETN-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)30 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds 10180 pF @ 15 V
اتلاف نیرو (حداکثر) 104W (Tc)

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

Whatsapp

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.

ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!