SI7852DP-T1-GE3

More Information
دسته بندی	ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازنده	Vishay Siliconix
RoHS	1
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
دمای عملیاتی	-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب	Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده	PowerPAK® SO-8
شماره محصول پایه	SI7852
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
سلسله	TrenchFET®
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	7.6A (Ta)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)	6V, 10V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	16.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	2V @ 250µA (Min)
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	41 nC @ 10 V
ویژگی FET	-
بسته / مورد	PowerPAK® SO-8
Vgs (حداکثر)	±20V
نوع FET	N-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	80 V
اتلاف نیرو (حداکثر)	1.9W (Ta)
نامهای دیگر	SI7852DP-T1-GE3DKR SI7852DP-T1-GE3CT SI7852DP-T1-GE3-ND SI7852DP-T1-GE3TR

In stock نیاز بیشتری؟

‎$۲٫۱۱۶۰۰

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.

ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!