FDD8N50NZTM
MOSFET N-CH 500V 6.5A DPAK
قسمت # NOVA:
312-2361374-FDD8N50NZTM
سازنده:
شماره قطعه سازنده:
FDD8N50NZTM
بسته استاندارد:
2,500
برگه اطلاعات فنی:
N-Channel 500 V 6.5A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount TO-252AA
| دسته بندی | ترانزیستور - FET، ماسفت - تک | |
| سازنده | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| بسته بندی | Tape & Reel (TR) | |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نوع نصب | Surface Mount | |
| بسته دستگاه تامین کننده | TO-252AA | |
| شماره محصول پایه | FDD8N50 | |
| فن آوری | MOSFET (Metal Oxide) | |
| سلسله | UniFET-II™ | |
| جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C | 6.5A (Tc) | |
| ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن) | 10V | |
| Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs | 850mOhm @ 3.25A, 10V | |
| Vgs(th) (حداکثر) @ ID | 5V @ 250µA | |
| شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 18 nC @ 10 V | |
| ویژگی FET | - | |
| بسته / مورد | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (حداکثر) | ±25V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 500 V | |
| ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 735 pF @ 25 V | |
| اتلاف نیرو (حداکثر) | 90W (Tc) | |
| نامهای دیگر | FDD8N50NZTMCT FDD8N50NZTMTUBE FDD8N50NZTMDKR FDD8N50NZTMTR FDD8N50NZTMTUBEINACTIVE FDD8N50NZTM-ND FDD8N50NZTMTUBE-ND |
In stock لطفا با ما تماس بگیرید
قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.
ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!
FQD2P40TMonsemi
STD15N50M2AGSTMicroelectronics
STD7NM60NSTMicroelectronics- FDD6N50FTMonsemi
