IPD053N06NATMA1
MOSFET N-CH 60V 18A/45A TO252-3
قسمت # NOVA:
312-2288095-IPD053N06NATMA1
سازنده:
شماره قطعه سازنده:
IPD053N06NATMA1
بسته استاندارد:
2,500
برگه اطلاعات فنی:
N-Channel 60 V 18A (Ta), 45A (Tc) 3W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
| دسته بندی | ترانزیستور - FET، ماسفت - تک | |
| سازنده | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| بسته بندی | Tape & Reel (TR) | |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| نوع نصب | Surface Mount | |
| بسته دستگاه تامین کننده | PG-TO252-3 | |
| شماره محصول پایه | IPD053 | |
| فن آوری | MOSFET (Metal Oxide) | |
| سلسله | OptiMOS™ | |
| جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C | 18A (Ta), 45A (Tc) | |
| ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن) | 6V, 10V | |
| Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs | 5.3mOhm @ 45A, 10V | |
| Vgs(th) (حداکثر) @ ID | 2.8V @ 36µA | |
| شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 27 nC @ 10 V | |
| ویژگی FET | - | |
| بسته / مورد | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (حداکثر) | ±20V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 60 V | |
| ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 2000 pF @ 30 V | |
| اتلاف نیرو (حداکثر) | 3W (Ta), 83W (Tc) | |
| نامهای دیگر | IPD053N06NTR-ND IPD053N06NTR IPD053N06NXTMA1 IPD053N06NDKR-ND IPD053N06NCT-ND IPD053N06N-ND SP000962138 IPD053N06NATMA1TR IPD053N06NATMA1DKR IPD053N06NCT IPD053N06NDKR IPD053N06N IPD053N06NATMA1CT |
In stock لطفا با ما تماس بگیرید
قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.
ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!
FDD86540onsemi
