SI7178DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
قسمت # NOVA:
312-2297455-SI7178DP-T1-GE3
سازنده:
شماره قطعه سازنده:
SI7178DP-T1-GE3
بسته استاندارد:
3,000
برگه اطلاعات فنی:
N-Channel 100 V 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
| دسته بندی | ترانزیستور - FET، ماسفت - تک | |
| سازنده | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| بسته بندی | Tape & Reel (TR) | |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نوع نصب | Surface Mount | |
| بسته دستگاه تامین کننده | PowerPAK® SO-8 | |
| شماره محصول پایه | SI7178 | |
| فن آوری | MOSFET (Metal Oxide) | |
| سلسله | TrenchFET® | |
| جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C | 60A (Tc) | |
| ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن) | 10V | |
| Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs | 14mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (حداکثر) @ ID | 4.5V @ 250µA | |
| شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 72 nC @ 10 V | |
| ویژگی FET | - | |
| بسته / مورد | PowerPAK® SO-8 | |
| Vgs (حداکثر) | ±20V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 100 V | |
| ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 2870 pF @ 50 V | |
| اتلاف نیرو (حداکثر) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) | |
| نامهای دیگر | SI7178DP-T1-GE3DKR SI7178DP-T1-GE3CT SI7178DP-T1-GE3TR SI7178DPT1GE3 |
In stock لطفا با ما تماس بگیرید
قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.
ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!
NTE633NTE Electronics, Inc
SI7852ADP-T1-GE3Vishay Siliconix
LTST-C191KGKTLite-On Inc.
V15PM45-M3/HVishay General Semiconductor - Diodes Division
DMN10H099SK3-13Diodes Incorporated
STPS10200SFSTMicroelectronics- SI7848BDP-T1-E3Vishay Siliconix
- SIR804DP-T1-GE3Vishay Siliconix
SIR668DP-T1-RE3Vishay Siliconix- SIR846DP-T1-GE3Vishay Siliconix
IAUC100N10S5N040ATMA1Infineon Technologies
SIRA90DP-T1-RE3Vishay Siliconix
