FQU13N10LTU
MOSFET N-CH 100V 10A IPAK
قسمت # NOVA:
312-2288109-FQU13N10LTU
سازنده:
شماره قطعه سازنده:
FQU13N10LTU
بسته استاندارد:
5,040
برگه اطلاعات فنی:
N-Channel 100 V 10A (Tc) 2.5W (Ta), 40W (Tc) Through Hole I-PAK
| دسته بندی | ترانزیستور - FET، ماسفت - تک | |
| سازنده | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نوع نصب | Through Hole | |
| بسته دستگاه تامین کننده | I-PAK | |
| شماره محصول پایه | FQU13N10 | |
| فن آوری | MOSFET (Metal Oxide) | |
| سلسله | QFET® | |
| جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C | 10A (Tc) | |
| ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن) | 5V, 10V | |
| Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs | 180mOhm @ 5A, 10V | |
| Vgs(th) (حداکثر) @ ID | 2V @ 250µA | |
| شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 12 nC @ 5 V | |
| ویژگی FET | - | |
| بسته / مورد | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | |
| Vgs (حداکثر) | ±20V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 100 V | |
| ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 520 pF @ 25 V | |
| اتلاف نیرو (حداکثر) | 2.5W (Ta), 40W (Tc) |
In stock لطفا با ما تماس بگیرید
قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.
ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!
1N5393-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes Division
FQD13N10LTMonsemi