FDS2570

N-CHANNEL POWER MOSFET
قسمت # NOVA:
312-2267665-FDS2570
شماره قطعه سازنده:
FDS2570
بسته استاندارد:
2,500
برگه اطلاعات فنی:

N-Channel 150 V 4A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

More Information
دسته بندیترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازندهFairchild Semiconductor
RoHS 1
دمای عملیاتی -55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصبSurface Mount
بسته دستگاه تامین کننده 8-SOIC
فن آوریMOSFET (Metal Oxide)
سلسلهPowerTrench®
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C 4A (Ta)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)6V, 10V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs 72mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID 4V @ 250µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs 62 nC @ 10 V
ویژگی FET-
بسته / مورد8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (حداکثر)±20V
نوع FETN-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)150 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds 1907 pF @ 75 V
اتلاف نیرو (حداکثر) 1W (Ta)
نامهای دیگرFAIFSCFDS2570
2156-FDS2570

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

Whatsapp

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.