PMT200EPEX

More Information
دسته بندی	ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازنده	Nexperia USA Inc.
RoHS	1
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
دمای عملیاتی	-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب	Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده	SOT-223
شماره محصول پایه	PMT200
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
سلسله	TrenchMOS™
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	2.4A (Ta)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)	4.5V, 10V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	167mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	3V @ 250µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	15.9 nC @ 10 V
ویژگی FET	-
بسته / مورد	TO-261-4, TO-261AA
Vgs (حداکثر)	±20V
نوع FET	P-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	70 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	822 pF @ 35 V
اتلاف نیرو (حداکثر)	800mW (Ta)
نامهای دیگر	934660521115

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.

ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!