SIR692DP-T1-RE3

MOSFET N-CH 250V 24.2A PPAK SO-8
قسمت # NOVA:
312-2282805-SIR692DP-T1-RE3
سازنده:
شماره قطعه سازنده:
SIR692DP-T1-RE3
بسته استاندارد:
3,000
برگه اطلاعات فنی:

N-Channel 250 V 24.2A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

More Information
دسته بندیترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازندهVishay Siliconix
RoHS 1
بسته بندیTape & Reel (TR)
دمای عملیاتی -55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصبSurface Mount
بسته دستگاه تامین کننده PowerPAK® SO-8
شماره محصول پایه SIR692
فن آوریMOSFET (Metal Oxide)
سلسلهThunderFET®
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C 24.2A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)7.5V, 10V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs 63mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID 4V @ 250µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs 30 nC @ 7.5 V
ویژگی FET-
بسته / موردPowerPAK® SO-8
Vgs (حداکثر)±20V
نوع FETN-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)250 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds 1405 pF @ 125 V
اتلاف نیرو (حداکثر) 104W (Tc)
نامهای دیگرSIR692DP-T1-RE3CT
SIR692DP-T1-RE3TR
SIR692DP-T1-RE3DKR

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

Whatsapp

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.