BSC035N04LSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 21A/100A TDSON
قسمت # NOVA:
312-2281284-BSC035N04LSGATMA1
سازنده:
شماره قطعه سازنده:
BSC035N04LSGATMA1
بسته استاندارد:
5,000
برگه اطلاعات فنی:
N-Channel 40 V 21A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
| دسته بندی | ترانزیستور - FET، ماسفت - تک | |
| سازنده | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| بسته بندی | Tape & Reel (TR) | |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نوع نصب | Surface Mount | |
| بسته دستگاه تامین کننده | PG-TDSON-8-1 | |
| شماره محصول پایه | BSC035 | |
| فن آوری | MOSFET (Metal Oxide) | |
| سلسله | OptiMOS™ | |
| جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C | 21A (Ta), 100A (Tc) | |
| ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن) | 4.5V, 10V | |
| Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs | 3.5mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (حداکثر) @ ID | 2V @ 36µA | |
| شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 64 nC @ 10 V | |
| ویژگی FET | - | |
| بسته / مورد | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (حداکثر) | ±20V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 40 V | |
| ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 5100 pF @ 20 V | |
| اتلاف نیرو (حداکثر) | 2.5W (Ta), 69W (Tc) | |
| نامهای دیگر | BSC035N04LS GDKR BSC035N04LS GTR-ND BSC035N04LSGATMA1DKR BSC035N04LS GCT-ND BSC035N04LSGATMA1DKR-NDTR-ND BSC035N04LS G-ND BSC035N04LSGATMA1TR BSC035N04LS GCT BSC035N04LS G BSC035N04LSGATMA1CT-NDTR-ND BSC035N04LSG SP000391503 BSC035N04LSGATMA1CT BSC035N04LS GDKR-ND |
In stock لطفا با ما تماس بگیرید
قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.
ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!
- BSC100N06LS3GATMA1Infineon Technologies
- TPS92630QPWPRQ1Texas Instruments
- PMEG4002EB,115Nexperia USA Inc.
- TLV70018DDCRTexas Instruments
- BSC093N04LSGATMA1Infineon Technologies
- BAT54-HE3-08Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- BSC027N04LSGATMA1Infineon Technologies
- BGM13P32F512GA-V2RSilicon Labs
- TPS92612DBVRTexas Instruments
- MBRS2040LT3Gonsemi
- BSC026N04LSATMA1Infineon Technologies
- LT3744EUHE#PBFAnalog Devices Inc.










