IRFD9210PBF

MOSFET P-CH 200V 400MA 4DIP
قسمت # NOVA:
312-2292438-IRFD9210PBF
سازنده:
شماره قطعه سازنده:
IRFD9210PBF
بسته استاندارد:
2,500
برگه اطلاعات فنی:

P-Channel 200 V 400mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP

More Information
دسته بندیترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازندهVishay Siliconix
RoHS 1
دمای عملیاتی -55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصبThrough Hole
بسته دستگاه تامین کننده 4-HVMDIP
شماره محصول پایه IRFD9210
فن آوریMOSFET (Metal Oxide)
سلسله-
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C 400mA (Ta)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)10V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs 3Ohm @ 240mA, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID 4V @ 250µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs 8.9 nC @ 10 V
ویژگی FET-
بسته / مورد4-DIP (0.300", 7.62mm)
Vgs (حداکثر)±20V
نوع FETP-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)200 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds 170 pF @ 25 V
اتلاف نیرو (حداکثر) 1W (Ta)
نامهای دیگر*IRFD9210PBF

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

Whatsapp

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.

ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!