ZXMN3A03E6TA

More Information
دسته بندی	ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازنده	Diodes Incorporated
RoHS	1
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
دمای عملیاتی	-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب	Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده	SOT-23-6
شماره محصول پایه	ZXMN3
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
سلسله	-
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	3.7A (Ta)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)	4.5V, 10V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	50mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	1V @ 250µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	12.6 nC @ 10 V
ویژگی FET	-
بسته / مورد	SOT-23-6
Vgs (حداکثر)	±20V
نوع FET	N-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	30 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	600 pF @ 25 V
اتلاف نیرو (حداکثر)	1.1W (Ta)
نامهای دیگر	31-ZXMN3A03E6TATR ZXMN3A03E6DKRINACTIVE ZXMN3A03E6TR 31-ZXMN3A03E6TACT 31-ZXMN3A03E6TADKR ZXMN3A03E6CT ZXMN3A03E6DKR ZXMN3A03E6TR-NDR ZXMN3A03E6CT-ND ZXMN3A03E6TR-ND ZXMN3A03E6DKR-ND ZXMN3A03E6CT-NDR