SQD40131EL_GE3
MOSFET P-CH 40V 50A TO252AA
قسمت # NOVA:
312-2287931-SQD40131EL_GE3
سازنده:
شماره قطعه سازنده:
SQD40131EL_GE3
بسته استاندارد:
2,000
برگه اطلاعات فنی:
P-Channel 40 V 50A (Tc) 62W (Tc) Surface Mount TO-252AA
| دسته بندی | ترانزیستور - FET، ماسفت - تک | |
| سازنده | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| بسته بندی | Tape & Reel (TR) | |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| نوع نصب | Surface Mount | |
| بسته دستگاه تامین کننده | TO-252AA | |
| شماره محصول پایه | SQD40131 | |
| فن آوری | MOSFET (Metal Oxide) | |
| سلسله | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C | 50A (Tc) | |
| ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن) | 4.5V, 10V | |
| Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs | 11.5mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (حداکثر) @ ID | 2.5V @ 250µA | |
| شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 115 nC @ 10 V | |
| ویژگی FET | - | |
| بسته / مورد | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (حداکثر) | ±20V | |
| نوع FET | P-Channel | |
| تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 40 V | |
| ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 6600 pF @ 25 V | |
| اتلاف نیرو (حداکثر) | 62W (Tc) | |
| نامهای دیگر | SQD40131EL_GE3CT SQD40131EL_GE3TR SQD40131EL_GE3DKR |
In stock لطفا با ما تماس بگیرید
قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.
ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!
SUD50P04-09L-E3Vishay Siliconix
BSS308PEH6327XTSA1Infineon Technologies- SQD50P04-13L_GE3Vishay Siliconix
IPD50P04P413ATMA1Infineon Technologies
TPS2590RSARTexas Instruments
NP50P04SDG-E1-AYRenesas Electronics America Inc
SQD40081EL_GE3Vishay Siliconix
STD45P4LLF6AGSTMicroelectronics
DMP4010SK3-13Diodes Incorporated- SUD50P04-08-GE3Vishay Siliconix
- DMP4010SK3Q-13Diodes Incorporated
- IPD50P04P4L11ATMA1Infineon Technologies
FDD4141Fairchild Semiconductor
