RQ3C150BCTB

More Information
دسته بندی	ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازنده	Rohm Semiconductor
RoHS	1
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
دمای عملیاتی	150°C (TJ)
نوع نصب	Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده	8-HSMT (3.2x3)
شماره محصول پایه	RQ3C150
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
سلسله	-
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	30A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)	4.5V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	6.7mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	1.2V @ 1mA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	60 nC @ 4.5 V
ویژگی FET	-
بسته / مورد	8-PowerVDFN
Vgs (حداکثر)	±8V
نوع FET	P-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	20 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	4800 pF @ 10 V
اتلاف نیرو (حداکثر)	20W (Tc)
نامهای دیگر	RQ3C150BCTBDKR RQ3C150BCTBCT RQ3C150BCTBTR

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.

ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!