BSC0803LSATMA1

More Information
دسته بندی	ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازنده	Infineon Technologies
RoHS	1
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
دمای عملیاتی	-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب	Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده	PG-TDSON-8-6
شماره محصول پایه	BSC0803
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
سلسله	OptiMOS™ 5
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	10A (Ta), 44A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)	4.5V, 10V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	14.6mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	2.3V @ 23µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	10 nC @ 4.5 V
ویژگی FET	-
بسته / مورد	8-PowerTDFN
Vgs (حداکثر)	±20V
نوع FET	N-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	100 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	1300 pF @ 50 V
اتلاف نیرو (حداکثر)	2.5W (Ta), 52W (Tc)
نامهای دیگر	448-BSC0803LSATMA1DKR 448-BSC0803LSATMA1CT 448-BSC0803LSATMA1TR SP001614084

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.

ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!