PSMN2R0-30YLDX

More Information
دسته بندی	ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازنده	Nexperia USA Inc.
RoHS	1
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
دمای عملیاتی	-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع نصب	Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده	LFPAK56, Power-SO8
شماره محصول پایه	PSMN2R0
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
سلسله	-
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	100A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)	4.5V, 10V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	2mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	2.2V @ 1mA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	46 nC @ 10 V
ویژگی FET	-
بسته / مورد	SC-100, SOT-669
Vgs (حداکثر)	±20V
نوع FET	N-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	30 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	2969 pF @ 15 V
اتلاف نیرو (حداکثر)	142W (Tc)
نامهای دیگر	1727-2218-2 568-12472-6-ND 568-12472-1 568-12472-2 1727-2218-1 568-12472-1-ND 568-12472-2-ND PSMN2R0-30YLDX-ND 1727-2218-6 934067964115 PSMN2R0-30YLD,115 568-12472-6

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.

ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!