ISC019N03L5SATMA1
MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
قسمت # NOVA:
312-2361590-ISC019N03L5SATMA1
سازنده:
شماره قطعه سازنده:
ISC019N03L5SATMA1
بسته استاندارد:
5,000
برگه اطلاعات فنی:
N-Channel 30 V 28A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
| دسته بندی | ترانزیستور - FET، ماسفت - تک | |
| سازنده | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| بسته بندی | Tape & Reel (TR) | |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نوع نصب | Surface Mount | |
| بسته دستگاه تامین کننده | PG-TDSON-8-5 | |
| شماره محصول پایه | ISC019 | |
| فن آوری | MOSFET (Metal Oxide) | |
| سلسله | OptiMOS™ | |
| جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C | 28A (Ta), 100A (Tc) | |
| ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن) | 4.5V, 10V | |
| Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs | 1.9mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (حداکثر) @ ID | 2V @ 250µA | |
| شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 44 nC @ 10 V | |
| ویژگی FET | - | |
| بسته / مورد | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (حداکثر) | ±20V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 30 V | |
| ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 2800 pF @ 15 V | |
| اتلاف نیرو (حداکثر) | 2.5W (Ta), 69W (Tc) | |
| نامهای دیگر | SP005408617 448-ISC019N03L5SATMA1TR 448-ISC019N03L5SATMA1DKR 448-ISC019N03L5SATMA1CT |
In stock لطفا با ما تماس بگیرید
قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.
ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!
SQJ461EP-T1_GE3Vishay Siliconix
SISS63DN-T1-GE3Vishay Siliconix
BSC0901NSATMA1Infineon Technologies
ZXMN6A07ZTADiodes Incorporated
