RF4E060AJTCR

More Information
دسته بندی	ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازنده	Rohm Semiconductor
RoHS	1
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
دمای عملیاتی	150°C (TJ)
نوع نصب	Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده	HUML2020L8
شماره محصول پایه	RF4E060
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
سلسله	-
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	6A (Ta)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)	2.5V, 4.5V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	37mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	1.5V @ 1mA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	4 nC @ 4.5 V
ویژگی FET	-
بسته / مورد	8-PowerUDFN
Vgs (حداکثر)	±12V
نوع FET	N-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	30 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	450 pF @ 15 V
اتلاف نیرو (حداکثر)	2W (Ta)
نامهای دیگر	RF4E060AJTCRDKR RF4E060AJTCRTR RF4E060AJTCRCT