NVMYS1D3N04CTWG

More Information
دسته بندی	ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازنده	onsemi
RoHS	1
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
دمای عملیاتی	-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع نصب	Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده	LFPAK4 (5x6)
شماره محصول پایه	NVMYS1
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
سلسله	Automotive, AEC-Q101
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	43A (Ta), 252A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)	10V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	1.15mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	3.5V @ 180µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	75 nC @ 10 V
ویژگی FET	-
بسته / مورد	SOT-1023, 4-LFPAK
Vgs (حداکثر)	±20V
نوع FET	N-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	40 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	4855 pF @ 25 V
اتلاف نیرو (حداکثر)	3.9W (Ta), 134W (Tc)
نامهای دیگر	NVMYS1D3N04CTWGOSDKR NVMYS1D3N04CTWGOSCT NVMYS1D3N04CTWGOSTR

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.

ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!