PSMN102-200Y,115

More Information
دسته بندی	ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازنده	Nexperia USA Inc.
RoHS	1
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
دمای عملیاتی	-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب	Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده	LFPAK56, Power-SO8
شماره محصول پایه	PSMN102
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
سلسله	TrenchMOS™
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	21.5A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)	10V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	102mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	4V @ 1mA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	30.7 nC @ 10 V
ویژگی FET	-
بسته / مورد	SC-100, SOT-669
Vgs (حداکثر)	±20V
نوع FET	N-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	200 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	1568 pF @ 30 V
اتلاف نیرو (حداکثر)	113W (Tc)
نامهای دیگر	1727-5227-6 568-6544-2-ND 568-6544-1-ND 1727-5227-2 PSMN102-200Y T/R-ND 1727-5227-1 PSMN102200Y115 568-6544-6-ND PSMN102-200Y,115-ND 568-6544-6 PSMN102-200Y T/R 568-6544-2 568-6544-1 934061323115