IRF7815TRPBF

More Information
دسته بندی	ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازنده	Infineon Technologies
RoHS	1
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
دمای عملیاتی	-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب	Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده	8-SO
شماره محصول پایه	IRF7815
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
سلسله	HEXFET®
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	5.1A (Ta)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)	10V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	43mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	5V @ 100µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	38 nC @ 10 V
ویژگی FET	-
بسته / مورد	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (حداکثر)	±20V
نوع FET	N-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	150 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	1647 pF @ 75 V
اتلاف نیرو (حداکثر)	2.5W (Ta)
نامهای دیگر	IRF7815TRPBFTR IRF7815TRPBFDKR SP001551548 IRF7815TRPBFCT

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.

ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!