SCT3080ALGC11
SICFET N-CH 650V 30A TO247N
قسمت # NOVA:
312-2280538-SCT3080ALGC11
سازنده:
شماره قطعه سازنده:
SCT3080ALGC11
بسته استاندارد:
450
برگه اطلاعات فنی:
N-Channel 650 V 30A (Tc) 134W (Tc) Through Hole TO-247N
| دسته بندی | ترانزیستور - FET، ماسفت - تک | |
| سازنده | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| دمای عملیاتی | 175°C (TJ) | |
| نوع نصب | Through Hole | |
| بسته دستگاه تامین کننده | TO-247N | |
| شماره محصول پایه | SCT3080 | |
| فن آوری | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| سلسله | - | |
| جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C | 30A (Tc) | |
| ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن) | 18V | |
| Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs | 104mOhm @ 10A, 18V | |
| Vgs(th) (حداکثر) @ ID | 5.6V @ 5mA | |
| شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 48 nC @ 18 V | |
| ویژگی FET | - | |
| بسته / مورد | TO-247-3 | |
| Vgs (حداکثر) | +22V, -4V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 650 V | |
| ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 571 pF @ 500 V | |
| اتلاف نیرو (حداکثر) | 134W (Tc) |
In stock لطفا با ما تماس بگیرید
قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.
ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!
SCT3080ARC14Rohm Semiconductor
SCT3080ALHRC11Rohm Semiconductor