SI4434ADY-T1-GE3
MOSFET N-CH 250V 2.8A/4.1A 8SO
قسمت # NOVA:
312-2264270-SI4434ADY-T1-GE3
سازنده:
شماره قطعه سازنده:
SI4434ADY-T1-GE3
بسته استاندارد:
2,500
برگه اطلاعات فنی:
N-Channel 250 V 2.8A (Ta), 4.1A (Tc) 2.9W (Ta), 6W (Tc) Surface Mount 8-SO
| دسته بندی | ترانزیستور - FET، ماسفت - تک | |
| سازنده | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| بسته بندی | Tape & Reel (TR) | |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نوع نصب | Surface Mount | |
| بسته دستگاه تامین کننده | 8-SO | |
| شماره محصول پایه | SI4434 | |
| فن آوری | MOSFET (Metal Oxide) | |
| سلسله | ThunderFET® | |
| جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C | 2.8A (Ta), 4.1A (Tc) | |
| ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن) | 7.5V, 10V | |
| Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs | 150mOhm @ 2.8A, 10V | |
| Vgs(th) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | |
| شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 16.5 nC @ 10 V | |
| ویژگی FET | - | |
| بسته / مورد | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| Vgs (حداکثر) | ±20V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 250 V | |
| ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 600 pF @ 125 V | |
| اتلاف نیرو (حداکثر) | 2.9W (Ta), 6W (Tc) | |
| نامهای دیگر | SI4434ADY-T1-GE3DKR SI4434ADY-T1-GE3CT SI4434ADY-GE3 SI4434ADY-T1-GE3TR |
In stock لطفا با ما تماس بگیرید
قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.
ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!
- FDS2734onsemi
- SI4842BDY-T1-GE3Vishay Siliconix



