SI4467DY

P-CHANNEL POWER MOSFET
قسمت # NOVA:
312-2269197-SI4467DY
شماره قطعه سازنده:
SI4467DY
بسته استاندارد:
1
برگه اطلاعات فنی:

P-Channel 20 V 13.5A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

More Information
دسته بندیترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازندهFairchild Semiconductor
RoHS 1
دمای عملیاتی -55°C ~ 175°C (TJ)
نوع نصبSurface Mount
بسته دستگاه تامین کننده 8-SOIC
فن آوریMOSFET (Metal Oxide)
سلسلهPowerTrench®
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C 13.5A (Ta)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)1.8V, 4.5V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID 1.5V @ 250µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs 120 nC @ 4.5 V
ویژگی FET-
بسته / مورد8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (حداکثر)±8V
نوع FETP-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)20 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds 8237 pF @ 10 V
اتلاف نیرو (حداکثر) 1.2W (Ta)
نامهای دیگر2156-SI4467DY
FAIFSCSI4467DY

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

Whatsapp

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.