SI4630DY-T1-GE3

More Information
دسته بندی	ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازنده	Vishay Siliconix
RoHS	1
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
دمای عملیاتی	-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب	Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده	8-SOIC
شماره محصول پایه	SI4630
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
سلسله	TrenchFET®
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	40A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)	4.5V, 10V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	2.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	2.2V @ 250µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	161 nC @ 10 V
ویژگی FET	-
بسته / مورد	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (حداکثر)	±16V
نوع FET	N-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	25 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	6670 pF @ 15 V
اتلاف نیرو (حداکثر)	3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
نامهای دیگر	SI4630DYT1GE3 SI4630DY-T1-GE3TR SI4630DY-T1-GE3DKR SI4630DY-T1-GE3CT

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.

ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!