APT8M100B
MOSFET N-CH 1000V 8A TO247
قسمت # NOVA:
312-2278424-APT8M100B
سازنده:
شماره قطعه سازنده:
APT8M100B
بسته استاندارد:
1
برگه اطلاعات فنی:
N-Channel 1000 V 8A (Tc) 290W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
| دسته بندی | ترانزیستور - FET، ماسفت - تک | |
| سازنده | Microchip Technology | |
| RoHS | 1 | |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نوع نصب | Through Hole | |
| بسته دستگاه تامین کننده | TO-247 [B] | |
| شماره محصول پایه | APT8M100 | |
| فن آوری | MOSFET (Metal Oxide) | |
| سلسله | - | |
| جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C | 8A (Tc) | |
| ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن) | 10V | |
| Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs | 1.8Ohm @ 4A, 10V | |
| Vgs(th) (حداکثر) @ ID | 5V @ 1mA | |
| شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 60 nC @ 10 V | |
| ویژگی FET | - | |
| بسته / مورد | TO-247-3 | |
| Vgs (حداکثر) | ±30V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 1000 V | |
| ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 1885 pF @ 25 V | |
| اتلاف نیرو (حداکثر) | 290W (Tc) | |
| نامهای دیگر | APT8M100BMI APT8M100BMI-ND |
In stock لطفا با ما تماس بگیرید
قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.
ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!
STW28NM50NSTMicroelectronics
IXTH5N100AIXYS
IRFPG50PBFVishay Siliconix
STU2NK100ZSTMicroelectronics
TSM2N100CH C5GTaiwan Semiconductor Corporation
