IPD80P03P4L07ATMA1

More Information
دسته بندی	ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازنده	Infineon Technologies
RoHS	1
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
دمای عملیاتی	-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع نصب	Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده	PG-TO252-3-11
شماره محصول پایه	IPD80P03
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
سلسله	OptiMOS™
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	80A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)	4.5V, 10V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	6.8mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	2V @ 130µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	80 nC @ 10 V
ویژگی FET	-
بسته / مورد	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (حداکثر)	+5V, -16V
نوع FET	P-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	30 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	5700 pF @ 25 V
اتلاف نیرو (حداکثر)	88W (Tc)
نامهای دیگر	IPD80P03P4L07ATMA1CT IPD80P03P4L-07INCT-ND IPD80P03P4L-07 IPD80P03P4L07 IPD80P03P4L-07INTR-ND SP000396296 IPD80P03P4L-07INDKR IPD80P03P4L-07INCT IPD80P03P4L-07-ND INFINFIPD80P03P4L07ATMA1 IPD80P03P4L-07INDKR-ND 2156-IPD80P03P4L07ATMA1 IPD80P03P4L-07INTR IPD80P03P4L07ATMA1TR IPD80P03P4L07ATMA1DKR