FDMS4435BZ
MOSFET P-CH 30V 9A/18A 8PQFN
قسمت # NOVA:
312-2263433-FDMS4435BZ
سازنده:
شماره قطعه سازنده:
FDMS4435BZ
بسته استاندارد:
3,000
برگه اطلاعات فنی:
P-Channel 30 V 9A (Ta), 18A (Tc) 2.5W (Ta), 39W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
| دسته بندی | ترانزیستور - FET، ماسفت - تک | |
| سازنده | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| بسته بندی | Tape & Reel (TR) | |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نوع نصب | Surface Mount | |
| بسته دستگاه تامین کننده | 8-PQFN (5x6) | |
| شماره محصول پایه | FDMS4435 | |
| فن آوری | MOSFET (Metal Oxide) | |
| سلسله | PowerTrench® | |
| جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C | 9A (Ta), 18A (Tc) | |
| ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن) | 4.5V, 10V | |
| Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs | 20mOhm @ 9A, 10V | |
| Vgs(th) (حداکثر) @ ID | 3V @ 250µA | |
| شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 47 nC @ 10 V | |
| ویژگی FET | - | |
| بسته / مورد | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (حداکثر) | ±25V | |
| نوع FET | P-Channel | |
| تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 30 V | |
| ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 2050 pF @ 15 V | |
| اتلاف نیرو (حداکثر) | 2.5W (Ta), 39W (Tc) | |
| نامهای دیگر | FDMS4435BZTR ONSFSCFDMS4435BZ 2156-FDMS4435BZ-OS FDMS4435BZCT FDMS4435BZDKR FDMS4435BZ-ND |
In stock لطفا با ما تماس بگیرید
قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.
ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!
STL30P3LLH6STMicroelectronics
CMS45P03H8-HFComchip Technology
FQD11P06TMonsemi
RS1E260ATTB1Rohm Semiconductor
NVMFS5113PLT1Gonsemi
FDMC4435BZonsemi
FDWS9508L-F085onsemi