NVBG160N120SC1

SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAK
قسمت # NOVA:
312-2299063-NVBG160N120SC1
سازنده:
شماره قطعه سازنده:
NVBG160N120SC1
بسته استاندارد:
800
برگه اطلاعات فنی:

N-Channel 1200 V 19.5A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount D2PAK-7

More Information
دسته بندیترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازندهonsemi
RoHS 1
بسته بندیTape & Reel (TR)
دمای عملیاتی -55°C ~ 175°C (TJ)
نوع نصبSurface Mount
بسته دستگاه تامین کننده D2PAK-7
شماره محصول پایه NVBG160
فن آوریSiCFET (Silicon Carbide)
سلسلهAutomotive, AEC-Q101
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C 19.5A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)20V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs 224mOhm @ 12A, 20V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID 4.3V @ 2.5mA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs 33.8 nC @ 20 V
ویژگی FET-
بسته / موردTO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Vgs (حداکثر)+25V, -15V
نوع FETN-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)1200 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds 678 pF @ 800 V
اتلاف نیرو (حداکثر) 136W (Tc)
نامهای دیگر488-NVBG160N120SC1DKR
488-NVBG160N120SC1CT
488-NVBG160N120SC1TR

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

Whatsapp

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.

ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!