DMT6010LPS-13
MOSFET N-CH 60V 13.5A PWRDI5060
قسمت # NOVA:
312-2263387-DMT6010LPS-13
سازنده:
شماره قطعه سازنده:
DMT6010LPS-13
بسته استاندارد:
2,500
برگه اطلاعات فنی:
N-Channel 60 V 13.5A (Ta), 80A (Tc) 2.2W (Ta), 113W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8
| دسته بندی | ترانزیستور - FET، ماسفت - تک | |
| سازنده | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| بسته بندی | Tape & Reel (TR) | |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نوع نصب | Surface Mount | |
| بسته دستگاه تامین کننده | PowerDI5060-8 | |
| شماره محصول پایه | DMT6010 | |
| فن آوری | MOSFET (Metal Oxide) | |
| سلسله | - | |
| جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C | 13.5A (Ta), 80A (Tc) | |
| ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن) | 4.5V, 10V | |
| Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs | 8mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (حداکثر) @ ID | 3V @ 250µA | |
| شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 41.3 nC @ 10 V | |
| ویژگی FET | - | |
| بسته / مورد | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (حداکثر) | ±20V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 60 V | |
| ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 2090 pF @ 30 V | |
| اتلاف نیرو (حداکثر) | 2.2W (Ta), 113W (Tc) | |
| نامهای دیگر | DMT6010LPS-13DICT DMT6010LPS-13DITR DMT6010LPS-13DIDKR |
In stock لطفا با ما تماس بگیرید
قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.
ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!
ISZ0602NLSATMA1Infineon Technologies
DMT6016LSS-13Diodes Incorporated
RS1L145GNTBRohm Semiconductor
DMTH6010LPSQ-13Diodes Incorporated
DMN6013LFG-7Diodes Incorporated
BSC160N10NS3GATMA1Infineon Technologies
BSC097N06NSATMA1Infineon Technologies- BSC0704LSATMA1Infineon Technologies
FDMS86520Lonsemi- BSC0703LSATMA1Infineon Technologies
