IRFS4229TRLPBF

More Information
دسته بندی	ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازنده	Infineon Technologies
RoHS	1
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
دمای عملیاتی	-40°C ~ 175°C (TJ)
نوع نصب	Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده	PG-TO263-3
شماره محصول پایه	IRFS4229
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
سلسله	HEXFET®
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	45A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)	10V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	48mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	5V @ 250µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	110 nC @ 10 V
ویژگی FET	-
بسته / مورد	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (حداکثر)	±30V
نوع FET	N-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	250 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	4560 pF @ 25 V
اتلاف نیرو (حداکثر)	330W (Tc)
نامهای دیگر	IRFS4229TRLPBFDKR IRFS4229TRLPBFTR SP001557392 IRFS4229TRLPBF-ND IRFS4229TRLPBFCT

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.

ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!