IRF3710ZSTRLPBF

More Information
دسته بندی	ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازنده	Infineon Technologies
RoHS	1
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
دمای عملیاتی	-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع نصب	Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده	D2PAK
شماره محصول پایه	IRF3710
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
سلسله	HEXFET®
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	59A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)	10V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	18mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	4V @ 250µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	120 nC @ 10 V
ویژگی FET	-
بسته / مورد	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (حداکثر)	±20V
نوع FET	N-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	100 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	2900 pF @ 25 V
اتلاف نیرو (حداکثر)	160W (Tc)
نامهای دیگر	IRF3710ZSTRLPBF-ND SP001570170 IRF3710ZSTRLPBFTR IRF3710ZSTRLPBFCT IRF3710ZSTRLPBFDKR