STH13N120K5-2AG
MOSFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2
قسمت # NOVA:
312-2283622-STH13N120K5-2AG
سازنده:
شماره قطعه سازنده:
STH13N120K5-2AG
بسته استاندارد:
1,000
برگه اطلاعات فنی:
N-Channel 1200 V 12A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount H2Pak-2
| دسته بندی | ترانزیستور - FET، ماسفت - تک | |
| سازنده | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| بسته بندی | Tape & Reel (TR) | |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نوع نصب | Surface Mount | |
| بسته دستگاه تامین کننده | H2Pak-2 | |
| شماره محصول پایه | STH13 | |
| فن آوری | MOSFET (Metal Oxide) | |
| سلسله | - | |
| جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C | 12A (Tc) | |
| ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن) | 10V | |
| Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs | 690mOhm @ 6A, 10V | |
| Vgs(th) (حداکثر) @ ID | 5V @ 100µA | |
| شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 44.2 nC @ 10 V | |
| ویژگی FET | - | |
| بسته / مورد | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (حداکثر) | ±30V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 1200 V | |
| ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 1370 pF @ 100 V | |
| اتلاف نیرو (حداکثر) | 250W (Tc) | |
| نامهای دیگر | 497-STH13N120K5-2AGDKR 497-STH13N120K5-2AGCT 497-STH13N120K5-2AGTR |
In stock لطفا با ما تماس بگیرید
قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.
ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!
STH12N120K5-2STMicroelectronics
SCT10N120HSTMicroelectronics
STD4NK100ZSTMicroelectronics
STTH112UFYSTMicroelectronics
SN6505AQDBVRQ1Texas Instruments- STH2N120K5-2AGSTMicroelectronics
