IPP024N06N3GXKSA1

More Information
دسته بندی	ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازنده	Infineon Technologies
RoHS	1
دمای عملیاتی	-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع نصب	Through Hole
بسته دستگاه تامین کننده	PG-TO220-3
شماره محصول پایه	IPP024
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
سلسله	OptiMOS™
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	120A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)	10V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	2.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	4V @ 196µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	275 nC @ 10 V
ویژگی FET	-
بسته / مورد	TO-220-3
Vgs (حداکثر)	±20V
نوع FET	N-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	60 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	23000 pF @ 30 V
اتلاف نیرو (حداکثر)	250W (Tc)
نامهای دیگر	IPP024N06N3 G IPP024N06N3G SP000680764 2156-IPP024N06N3GXKSA1 IPP024N06N3 G-ND IFEINFIPP024N06N3GXKSA1

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.

ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!