BSC021N08NS5ATMA1
MOSFET TRENCH 80V TSON-8
قسمت # NOVA:
312-2283080-BSC021N08NS5ATMA1
سازنده:
شماره قطعه سازنده:
BSC021N08NS5ATMA1
بسته استاندارد:
5,000
N-Channel 80 V 100A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TSON-8-3
| دسته بندی | ترانزیستور - FET، ماسفت - تک | |
| سازنده | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| بسته بندی | Tape & Reel (TR) | |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| نوع نصب | Surface Mount | |
| بسته دستگاه تامین کننده | PG-TSON-8-3 | |
| شماره محصول پایه | BSC021 | |
| فن آوری | MOSFET (Metal Oxide) | |
| سلسله | OptiMOS™, StrongIRFET™ | |
| جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C | 100A (Tc) | |
| ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن) | 6V, 10V | |
| Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs | 2.1mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (حداکثر) @ ID | 3.8V @ 146µA | |
| شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 29 nC @ 10 V | |
| ویژگی FET | Standard | |
| بسته / مورد | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (حداکثر) | ±20V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 80 V | |
| ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 8600 pF @ 40 V | |
| اتلاف نیرو (حداکثر) | 214W (Tc) | |
| نامهای دیگر | 448-BSC021N08NS5ATMA1TR 448-BSC021N08NS5ATMA1DKR SP001793410 448-BSC021N08NS5ATMA1CT BSC021N08NS5ATMA1-ND |
In stock لطفا با ما تماس بگیرید
قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.
ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!
BSC027N10NS5ATMA1Infineon Technologies
SI7464DP-T1-GE3Vishay Siliconix- SI7174DP-T1-GE3Vishay Siliconix
BSC019N08NS5ATMA1Infineon Technologies- BSC012N06NSATMA1Infineon Technologies
BSC035N10NS5ATMA1Infineon Technologies- BSC026N08NS5ATMA1Infineon Technologies
IAUC100N10S5N040ATMA1Infineon Technologies
