TPH6R30ANL,L1Q

More Information
دسته بندی	ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازنده	Toshiba Semiconductor and Storage
RoHS	1
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
دمای عملیاتی	150°C
نوع نصب	Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده	8-SOP Advance (5x5)
شماره محصول پایه	TPH6R30
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
سلسله	U-MOSVIII-H
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	66A (Ta), 45A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)	4.5V, 10V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	6.3mOhm @ 22.5A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	2.5V @ 500µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	55 nC @ 10 V
ویژگی FET	-
بسته / مورد	8-PowerVDFN
Vgs (حداکثر)	±20V
نوع FET	N-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	100 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	4300 pF @ 50 V
اتلاف نیرو (حداکثر)	2.5W (Ta), 54W (Tc)
نامهای دیگر	TPH6R30ANLL1Q

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.

ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!