IRF640NPBF

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

.mst-lazy {display:none;}

MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB

قسمت # NOVA:

312-2281825-IRF640NPBF

سازنده:

شماره قطعه سازنده:

IRF640NPBF

بسته استاندارد:

100

برگه اطلاعات فنی:

N-Channel 200 V 18A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220AB

More Information
دسته بندی	ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازنده	Infineon Technologies
RoHS	1
دمای عملیاتی	-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع نصب	Through Hole
بسته دستگاه تامین کننده	TO-220AB
شماره محصول پایه	IRF640
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
سلسله	HEXFET®
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	18A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)	10V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	150mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	4V @ 250µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	67 nC @ 10 V
ویژگی FET	-
بسته / مورد	TO-220-3
Vgs (حداکثر)	±20V
نوع FET	N-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	200 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	1160 pF @ 25 V
اتلاف نیرو (حداکثر)	150W (Tc)
نامهای دیگر	SP001570078 *IRF640NPBF