FQA140N10

More Information
دسته بندی	ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازنده	onsemi
RoHS	1
دمای عملیاتی	-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع نصب	Through Hole
بسته دستگاه تامین کننده	TO-3PN
شماره محصول پایه	FQA140
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
سلسله	QFET®
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	140A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)	10V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	10mOhm @ 70A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	4V @ 250µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	285 nC @ 10 V
ویژگی FET	-
بسته / مورد	TO-3P-3, SC-65-3
Vgs (حداکثر)	±25V
نوع FET	N-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	100 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	7900 pF @ 25 V
اتلاف نیرو (حداکثر)	375W (Tc)
نامهای دیگر	FQA140N10-ND FQA140N10OS ONSONSFQA140N10 2156-FQA140N10-OS