SIR466DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
قسمت # NOVA:
312-2287894-SIR466DP-T1-GE3
سازنده:
شماره قطعه سازنده:
SIR466DP-T1-GE3
بسته استاندارد:
3,000
برگه اطلاعات فنی:
N-Channel 30 V 40A (Tc) 5W (Ta), 54W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
| دسته بندی | ترانزیستور - FET، ماسفت - تک | |
| سازنده | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| بسته بندی | Tape & Reel (TR) | |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نوع نصب | Surface Mount | |
| بسته دستگاه تامین کننده | PowerPAK® SO-8 | |
| شماره محصول پایه | SIR466 | |
| فن آوری | MOSFET (Metal Oxide) | |
| سلسله | TrenchFET® | |
| جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C | 40A (Tc) | |
| ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن) | 4.5V, 10V | |
| Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs | 3.5mOhm @ 15A, 10V | |
| Vgs(th) (حداکثر) @ ID | 2.4V @ 250µA | |
| شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 65 nC @ 10 V | |
| ویژگی FET | - | |
| بسته / مورد | PowerPAK® SO-8 | |
| Vgs (حداکثر) | ±20V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 30 V | |
| ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 2730 pF @ 15 V | |
| اتلاف نیرو (حداکثر) | 5W (Ta), 54W (Tc) | |
| نامهای دیگر | SIR466DP-T1-GE3TR SIR466DP-T1-GE3CT SIR466DPT1GE3 SIR466DP-T1-GE3DKR |
In stock لطفا با ما تماس بگیرید
قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.
ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!
ABM3-25.000MHZ-D2Y-TAbracon LLC
BSS123LT1Gonsemi
TPS7B6950QDCYRQ1Texas Instruments
VNH5019ATR-ESTMicroelectronics
