SIHH068N60E-T1-GE3

More Information
دسته بندی	ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازنده	Vishay Siliconix
RoHS	1
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
دمای عملیاتی	-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب	Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده	PowerPAK® 8 x 8
شماره محصول پایه	SIHH068
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
سلسله	E
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	34A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)	10V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	68mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	5V @ 250µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	80 nC @ 10 V
ویژگی FET	-
بسته / مورد	8-PowerTDFN
Vgs (حداکثر)	±30V
نوع FET	N-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	600 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	2650 pF @ 100 V
اتلاف نیرو (حداکثر)	202W (Tc)
نامهای دیگر	SIHH068N60E-T1-GE3TR SIHH068N60E-T1-GE3DKR SIHH068N60E-T1-GE3CT

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.

ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!