ISZ0803NLSATMA1
TRENCH >=100V PG-TSDSON-8
قسمت # NOVA:
312-2275702-ISZ0803NLSATMA1
سازنده:
شماره قطعه سازنده:
ISZ0803NLSATMA1
بسته استاندارد:
5,000
برگه اطلاعات فنی:
N-Channel 100 V 7.7A (Ta), 37A (Tc) 2.1W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-26
| دسته بندی | ترانزیستور - FET، ماسفت - تک | |
| سازنده | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| بسته بندی | Tape & Reel (TR) | |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نوع نصب | Surface Mount | |
| بسته دستگاه تامین کننده | PG-TSDSON-8-26 | |
| فن آوری | MOSFET (Metal Oxide) | |
| سلسله | OptiMOS™ 5 | |
| جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C | 7.7A (Ta), 37A (Tc) | |
| ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن) | 4.5V, 10V | |
| Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs | 16.9mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (حداکثر) @ ID | 2.3V @ 18µA | |
| شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 15 nC @ 10 V | |
| ویژگی FET | - | |
| بسته / مورد | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (حداکثر) | ±20V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 100 V | |
| ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 1000 pF @ 50 V | |
| اتلاف نیرو (حداکثر) | 2.1W (Ta), 43W (Tc) | |
| نامهای دیگر | SP005430493 448-ISZ0803NLSATMA1TR 448-ISZ0803NLSATMA1DKR 448-ISZ0803NLSATMA1CT |
In stock لطفا با ما تماس بگیرید
قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.
ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!
ISZ0602NLSATMA1Infineon Technologies
DMN10H120SFG-7Diodes Incorporated
TPN3300ANH,LQToshiba Semiconductor and Storage
BSZ146N10LS5ATMA1Infineon Technologies- ISZ0804NLSATMA1Infineon Technologies
ISZ230N10NM6ATMA1Infineon Technologies
DMT10H015LPS-13Diodes Incorporated
BSC146N10LS5ATMA1Infineon Technologies
ISZ080N10NM6ATMA1Infineon Technologies
BSC265N10LSFGATMA1Infineon Technologies
FDMS86105onsemi
