SIHB30N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
قسمت # NOVA:
312-2264673-SIHB30N60E-GE3
سازنده:
شماره قطعه سازنده:
SIHB30N60E-GE3
بسته استاندارد:
1,000
برگه اطلاعات فنی:
N-Channel 600 V 29A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
| دسته بندی | ترانزیستور - FET، ماسفت - تک | |
| سازنده | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نوع نصب | Surface Mount | |
| بسته دستگاه تامین کننده | D²PAK (TO-263) | |
| شماره محصول پایه | SIHB30 | |
| فن آوری | MOSFET (Metal Oxide) | |
| سلسله | - | |
| جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C | 29A (Tc) | |
| ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن) | 10V | |
| Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs | 125mOhm @ 15A, 10V | |
| Vgs(th) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | |
| شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 130 nC @ 10 V | |
| ویژگی FET | - | |
| بسته / مورد | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (حداکثر) | ±30V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 600 V | |
| ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 2600 pF @ 100 V | |
| اتلاف نیرو (حداکثر) | 250W (Tc) | |
| نامهای دیگر | SIHB30N60EGE3 |
In stock لطفا با ما تماس بگیرید
قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.
ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!
ISL9V5045S3ST-F085onsemi
FDB14N30TMonsemi
