IMZA65R039M1HXKSA1
SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
قسمت # NOVA:
312-2299733-IMZA65R039M1HXKSA1
سازنده:
شماره قطعه سازنده:
IMZA65R039M1HXKSA1
بسته استاندارد:
30
برگه اطلاعات فنی:
N-Channel 650 V 50A (Tc) 176W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-3
| دسته بندی | ترانزیستور - FET، ماسفت - تک | |
| سازنده | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| نوع نصب | Through Hole | |
| بسته دستگاه تامین کننده | PG-TO247-4-3 | |
| فن آوری | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| سلسله | CoolSiC™ | |
| جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C | 50A (Tc) | |
| ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن) | 18V | |
| Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs | 50mOhm @ 25A, 18V | |
| Vgs(th) (حداکثر) @ ID | 5.7V @ 7.5mA | |
| شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 41 nC @ 18 V | |
| ویژگی FET | - | |
| بسته / مورد | TO-247-4 | |
| Vgs (حداکثر) | +20V, -2V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 650 V | |
| ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 1393 pF @ 400 V | |
| اتلاف نیرو (حداکثر) | 176W (Tc) | |
| نامهای دیگر | 448-IMZA65R039M1HXKSA1 |
In stock لطفا با ما تماس بگیرید
قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.
ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!
IMZA65R083M1HXKSA1Infineon Technologies
IMW65R030M1HXKSA1Infineon Technologies
2EDF9275FXUMA1Infineon Technologies- IMZA65R030M1HXKSA1Infineon Technologies
- IMZA65R057M1HXKSA1Infineon Technologies
