RW1E025RPT2CR

More Information
دسته بندی	ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازنده	Rohm Semiconductor
RoHS	1
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
دمای عملیاتی	150°C (TJ)
نوع نصب	Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده	6-WEMT
شماره محصول پایه	RW1E025
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
سلسله	-
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	2.5A (Ta)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)	4V, 10V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	75mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	2.5V @ 1mA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	5.2 nC @ 5 V
ویژگی FET	-
بسته / مورد	6-SMD, Flat Leads
Vgs (حداکثر)	±20V
نوع FET	P-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	30 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	480 pF @ 10 V
اتلاف نیرو (حداکثر)	700mW (Ta)
نامهای دیگر	RW1E025RPT2CRCT RW1E025RPT2CRDKR RW1E025RPT2CRTR

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.

ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!