SCT3160KLGC11

More Information
دسته بندی	ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازنده	Rohm Semiconductor
RoHS	1
دمای عملیاتی	175°C (TJ)
نوع نصب	Through Hole
بسته دستگاه تامین کننده	TO-247N
شماره محصول پایه	SCT3160
فن آوری	SiCFET (Silicon Carbide)
سلسله	-
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	17A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)	18V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	208mOhm @ 5A, 18V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	5.6V @ 2.5mA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	42 nC @ 18 V
ویژگی FET	-
بسته / مورد	TO-247-3
Vgs (حداکثر)	+22V, -4V
نوع FET	N-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	1200 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	398 pF @ 800 V
اتلاف نیرو (حداکثر)	103W (Tc)

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.

ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!