SI4455DY-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V 2A 8SO
قسمت # NOVA:
312-2288076-SI4455DY-T1-GE3
سازنده:
شماره قطعه سازنده:
SI4455DY-T1-GE3
بسته استاندارد:
2,500
برگه اطلاعات فنی:
P-Channel 150 V 2A (Ta) 5.9W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
| دسته بندی | ترانزیستور - FET، ماسفت - تک | |
| سازنده | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| بسته بندی | Tape & Reel (TR) | |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نوع نصب | Surface Mount | |
| بسته دستگاه تامین کننده | 8-SOIC | |
| شماره محصول پایه | SI4455 | |
| فن آوری | MOSFET (Metal Oxide) | |
| سلسله | TrenchFET® | |
| جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C | 2A (Ta) | |
| ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن) | 6V, 10V | |
| Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs | 295mOhm @ 4A, 10V | |
| Vgs(th) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | |
| شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 42 nC @ 10 V | |
| ویژگی FET | - | |
| بسته / مورد | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| Vgs (حداکثر) | ±20V | |
| نوع FET | P-Channel | |
| تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 150 V | |
| ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 1190 pF @ 50 V | |
| اتلاف نیرو (حداکثر) | 5.9W (Tc) | |
| نامهای دیگر | SI4455DY-T1-GE3TR SI4455DY-T1-GE3-ND SI4455DY-T1-GE3DKR SI4455DY-T1-GE3CT |
In stock لطفا با ما تماس بگیرید
قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.
ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!
SI4455DY-T1-E3Vishay Siliconix
AD8606ARZ-REELAnalog Devices Inc.
FDMC86259Ponsemi
REF2025AISDDCRTexas Instruments
MMBT5551-7-FDiodes Incorporated
DMP6110SSS-13Diodes Incorporated
FDS86267PFairchild Semiconductor
MCQ05P10Y-TPMicro Commercial Co
SISS73DN-T1-GE3Vishay Siliconix
