STL3N65M2
MOSFET N-CH 650V 2.3A POWERFLAT
قسمت # NOVA:
312-2285673-STL3N65M2
سازنده:
شماره قطعه سازنده:
STL3N65M2
بسته استاندارد:
3,000
برگه اطلاعات فنی:
N-Channel 650 V 2.3A (Tc) 22W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (3.3x3.3)
| دسته بندی | ترانزیستور - FET، ماسفت - تک | |
| سازنده | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| بسته بندی | Tape & Reel (TR) | |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نوع نصب | Surface Mount | |
| بسته دستگاه تامین کننده | PowerFlat™ (3.3x3.3) | |
| شماره محصول پایه | STL3 | |
| فن آوری | MOSFET (Metal Oxide) | |
| سلسله | MDmesh™ M2 | |
| جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C | 2.3A (Tc) | |
| ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن) | 10V | |
| Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs | 1.8Ohm @ 1A, 10V | |
| Vgs(th) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | |
| شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 5 nC @ 10 V | |
| ویژگی FET | - | |
| بسته / مورد | 8-PowerVDFN | |
| Vgs (حداکثر) | ±25V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 650 V | |
| ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 155 pF @ 100 V | |
| اتلاف نیرو (حداکثر) | 22W (Tc) | |
| نامهای دیگر | 497-18738-6 497-18738-2 497-18738-1 STL3N65M2-ND |
In stock لطفا با ما تماس بگیرید
قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.
ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!
STL3NM60NSTMicroelectronics