SUD35N10-26P-E3

More Information
دسته بندی	ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازنده	Vishay Siliconix
RoHS	1
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
دمای عملیاتی	-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع نصب	Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده	TO-252AA
شماره محصول پایه	SUD35
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
سلسله	TrenchFET®
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	35A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)	7V, 10V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	26mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	4.4V @ 250µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	47 nC @ 10 V
ویژگی FET	-
بسته / مورد	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (حداکثر)	±20V
نوع FET	N-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	100 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	2000 pF @ 12 V
اتلاف نیرو (حداکثر)	8.3W (Ta), 83W (Tc)
نامهای دیگر	SUD35N10-26P-E3DKR SUD35N10-26P-E3CT SUD35N10-26P-E3TR SUD35N10-26P-E3-ND

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.

ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!