DMN2005UPS-13

More Information
دسته بندی	ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازنده	Diodes Incorporated
RoHS	1
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
دمای عملیاتی	-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب	Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده	PowerDI5060-8
شماره محصول پایه	DMN2005
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
سلسله	-
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	20A (Ta), 100A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)	2.5V, 4.5V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	1.2V @ 250µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	142 nC @ 10 V
ویژگی FET	-
بسته / مورد	8-PowerTDFN
Vgs (حداکثر)	±12V
نوع FET	N-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	20 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	5337 pF @ 10 V
اتلاف نیرو (حداکثر)	1.5W (Ta)
نامهای دیگر	DMN2005UPS-13DIDKR DMN2005UPS-13DICT DMN2005UPS-13DITR

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.

ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!