IPD70N10S3L12ATMA1
MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
قسمت # NOVA:
312-2281858-IPD70N10S3L12ATMA1
سازنده:
شماره قطعه سازنده:
IPD70N10S3L12ATMA1
بسته استاندارد:
2,500
برگه اطلاعات فنی:
N-Channel 100 V 70A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
| دسته بندی | ترانزیستور - FET، ماسفت - تک | |
| سازنده | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| بسته بندی | Tape & Reel (TR) | |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| نوع نصب | Surface Mount | |
| بسته دستگاه تامین کننده | PG-TO252-3-11 | |
| شماره محصول پایه | IPD70N10 | |
| فن آوری | MOSFET (Metal Oxide) | |
| سلسله | OptiMOS™ | |
| جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C | 70A (Tc) | |
| ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن) | 4.5V, 10V | |
| Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs | 11.5mOhm @ 70A, 10V | |
| Vgs(th) (حداکثر) @ ID | 2.4V @ 83µA | |
| شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 77 nC @ 10 V | |
| ویژگی FET | - | |
| بسته / مورد | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (حداکثر) | ±20V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 100 V | |
| ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 5550 pF @ 25 V | |
| اتلاف نیرو (حداکثر) | 125W (Tc) | |
| نامهای دیگر | IPD70N10S3L-12-ND SP000261250 IPD70N10S3L-12 IPD70N10S3L12ATMA1CT IPD70N10S3L-12DKR-ND IPD70N10S3L-12TR IPD70N10S3L12 IPD70N10S3L-12CT IPD70N10S3L12ATMA1DKR IPD70N10S3L-12DKR IPD70N10S3L-12CT-ND IPD70N10S3L-12TR-ND IPD70N10S3L12ATMA1TR |
In stock لطفا با ما تماس بگیرید
قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.
ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!
IPD50N04S4L08ATMA1Infineon Technologies
TLE42764DV50ATMA1Infineon Technologies
SI53340-B-GMRSkyworks Solutions Inc.
TLE6240GPAUMA1Infineon Technologies- TLE42702DATMA1Infineon Technologies
IPD30N10S3L34ATMA1Infineon Technologies
TLE9201SGAUMA1Infineon Technologies
BTS4175SGAXUMA1Infineon Technologies- IPD50N10S3L16ATMA1Infineon Technologies
- IFX9201SGAUMA1Infineon Technologies
TLE7182EMXUMA1Infineon Technologies
